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    POCO SUPER SiC

    SUPER SiCは、POCO社が開発したSiCで、焼結SiCと異なり、焼結剤などのバインダーは一切使用していません。
    高純度のカーボンを化學反応にてSiCに転化していますので、パーティクルやコンタミネーションが非常に少なく半導體製造時のキャリア等に多く使用されています。

    特長

    • 100%ピュアなSiC製品
      POCO社の高純度ニューカーボン母材を獨自のコンバージョン製法によっていSiCに転化しているためいかなる使用條件下でも不純物が発生しません。
    • 強酸に強い構造
      クォーツとは異なり、強酸の洗浄中で使用しても浸食されません。容積安定性に優れているためコストパフォーマンスにも貢獻しています。
    • 高精度の機械加工が可能
      機械加工された母材をSiCに転化するため、複雑な形狀のシリコンカーバイト製品が製作できます。
    • パーティクル及びコンタミネーションを抑制
      パーティクルが付著しやすく、剝がれにくい構造になっています。そのためパーティクルは>0.5μmについて50%以上<0.5μmについて10%以上低減できます。金屬のコンタミネーションも大幅に抑えることができます。
    • 1900℃の高溫使用が可能
      SUPERSiCは、特定の環境下(窒素雰囲気、アルゴン雰囲気、ヘリウム雰囲気)で、1900℃の高溫使用が可能です。

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    材料特性例

    密度熱膨張係數熱伝導率
    2.56g/cm3 4.9×10-6/℃ 44.1w/m?K

    パーティクル/コンタミネーションの比較

     SUPER SiCQZ(石英)
    パーティクル
    ※1
    0.5~5.0μm 10~40 100
    0.35~0.5μm 60~90 100
    コンタミネーション
    ※2
    アルカリ金屬 2~4×109 1~2×1010
    重金屬 2×1010 1×1011

    半導體製造使用例

    ウエハーサイズ橫型キャリアー縦型キャリアーダミーウエハー
    100mm(4")
    125mm(5")
    150mm(6")
    200mm(8")
    300mm(12")

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